[发明专利]一种改性二氧化钛纳米晶的引入缺陷法制备工艺

摘要

本发明公开了一种改性二氧化钛纳米晶的引入缺陷法制备工艺，属于半导体纳米材料制备技术领域。首先通过前驱体溶液制备二氧化钛纳米晶，然后通过化学氧化还原法，采用高温磷处理的方式制备光吸收性能强的改性二氧化钛纳米晶。本发明采用磷化法对白色二氧化钛纳米晶进行引入缺陷法改性，可显著提升二氧化钛纳米晶的光吸收性能，对推广二氧化钛在能源环境领域的应用作用重大；该工艺简单，成本低廉，可用于高的光吸收性能二氧化钛纳米晶的大规模生产；采用该工艺可得到不同颜色、不同光吸收性能的二氧化钛纳米晶，能够满足不同领域对二氧化钛纳米晶的选择性需求。

主权项

一种改性二氧化钛纳米晶的引入缺陷法制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：a、前驱体溶液的制备：将异丙醇钛、乙醇、盐酸、超纯水和F127以摩尔比1:0.005:0.5:15:40混合均匀，得到前驱体溶液；b、白色TiO2纳米晶的制备：将前驱体溶液于40‑60℃下放置20‑24 h，然后于100‑110 ℃下真空干燥20‑24 h，得到白色粉末，将该白色粉末置于马弗炉中，以0.3℃·min‑1的升温速率于500 ℃下退火6‑8h，得到白色TiO2纳米晶；c、改性二氧化钛纳米晶的制备：称取白色TiO2纳米晶于磁舟中，置于管式炉的恒温区，在距离此磁舟10‑15cm处放置另一个磁舟，称取次亚磷酸钠置于其中，以2 ℃·min‑1的升温速率于300‑600℃下保持2‑4h，得到改性二氧化钛纳米晶。