[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201710828660.2 | 申请日: | 2017-09-14 |
公开(公告)号: | CN108630678B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 林立凡;彭柏瑾 | 申请(专利权)人: | 台达电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本公开提供一种半导体装置,包含基板、功率元件、保护电路、介电层、漏极垫、源极垫与栅极垫。功率元件置于基板上。功率元件包含漏极电极、源极电极与栅极电极。保护电路置于基板上,且具有第一端与第二端。介电层置于功率元件与保护电路上。漏极垫置于介电层上且电性连接至功率元件的漏极电极。源极垫置于介电层上且电性连接至功率元件的源极电极以及第一端。栅极垫置于介电层上且电性连接至功率元件的栅极电极以及第二端。至少部分的保护电路置于源极垫、栅极垫或漏极垫下。本公开提供的半导体装置不会浪费布局面积,可以维持小的布局面积。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包含:一基板;一功率元件,置于该基板上,该功率元件包含一漏极电极、一源极电极与一栅极电极;一保护电路,置于该基板上,且具有一第一端与一第两端;一介电层,置于该功率元件与该保护电路上;一漏极垫,置于该介电层上且电性连接至该功率元件的该漏极电极;一源极垫,置于该介电层上且电性连接至该功率元件的该源极电极以及该保护电路的该第一端;以及一栅极垫,置于该介电层上且电性连接至该功率元件的该栅极电极以及该保护电路的该第两端,其中至少部分的该保护电路置于该源极垫、该栅极垫或该漏极垫下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的