[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710828660.2 申请日: 2017-09-14
公开(公告)号: CN108630678B 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 林立凡;彭柏瑾 申请(专利权)人: 台达电子工业股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍;章侃铱
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开提供一种半导体装置,包含基板、功率元件、保护电路、介电层、漏极垫、源极垫与栅极垫。功率元件置于基板上。功率元件包含漏极电极、源极电极与栅极电极。保护电路置于基板上,且具有第一端与第二端。介电层置于功率元件与保护电路上。漏极垫置于介电层上且电性连接至功率元件的漏极电极。源极垫置于介电层上且电性连接至功率元件的源极电极以及第一端。栅极垫置于介电层上且电性连接至功率元件的栅极电极以及第二端。至少部分的保护电路置于源极垫、栅极垫或漏极垫下。本公开提供的半导体装置不会浪费布局面积,可以维持小的布局面积。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,包含:一基板;一功率元件,置于该基板上,该功率元件包含一漏极电极、一源极电极与一栅极电极;一保护电路,置于该基板上,且具有一第一端与一第两端;一介电层,置于该功率元件与该保护电路上;一漏极垫,置于该介电层上且电性连接至该功率元件的该漏极电极;一源极垫,置于该介电层上且电性连接至该功率元件的该源极电极以及该保护电路的该第一端;以及一栅极垫,置于该介电层上且电性连接至该功率元件的该栅极电极以及该保护电路的该第两端,其中至少部分的该保护电路置于该源极垫、该栅极垫或该漏极垫下。
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