[发明专利]一种半导体材料表面湿法钝化方法在审
| 申请号： | 201710830574.5 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN107706088A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 周路;杨小天;迟耀丹;王欢;初学峰;闫兴振;杨帆;高晓红;王超;郭亮 | 申请（专利权）人： | 吉林建筑大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130118 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明一种半导体材料表面湿法钝化方法，属于半导体材料技术领域。该领域已知技术难以采用湿法钝化手段有效降低材料表面态的同时，维持钝化效果的长期稳定性。本发明提出采用正二十烷硫醇做为硫化物钝化液，在特定的条件下与半导体材料反应，能有效去除半导体材料表面的氧沾污，同时在半导体表面自组装上长碳链硫醇分子层，实现表面稳定的钝化保护。本方法化学污染小，操作简单，成本低廉，钝化效果明显，可用于半导体器件制备过程中的表面处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 表面 湿法 钝化 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体材料表面湿法钝化方法，其特征在于利用半导体与正二十烷硫醇(CH3[CH2]19SH)的乙醇溶液在特定条件下反应，通过调节反应体系的成份、温度和时间，在半导体表面自组装上较厚的长碳链硫醇分子层，饱和悬挂键的同时，形成有效的阻挡层防止半导体表面的再次氧化，并通过进一步的退火处理，实现表面稳定的钝化保护。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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