[发明专利]一种大功率SIP金锡焊接封装结构及封装方法在审

专利信息
申请号: 201710831108.9 申请日: 2017-09-15
公开(公告)号: CN107634044A 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 袁万里 申请(专利权)人: 成都睿腾万通科技有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/10;B23K31/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省成都市高新*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种大功率SIP金锡焊接封装结构,包括金属管壳、陶瓷电路片、功率芯片、玻珠、微带传输线和管帽,所述金属管壳为顶部具有开口的壳体结构,在所述金属管壳的内底面上焊接固定有陶瓷电路片,在所述陶瓷电路片一侧的金属管壳的内底面上还焊接固定有功率芯片,所述玻珠从金属管壳一侧的侧壁插入,所述微带传输线从金属管壳另一侧的侧壁插入,所述功率芯片分别与陶瓷电路片、玻珠和微带传输线电连接,所述管帽固定在金属管壳的开口处;还公开了其封装方法。本发明的优点在于部件之间通过AuSn20作为焊料进行密封,利用焊料的毛细管作用充分渗透部件的界面,形成致密的焊接,获得良好的密封效果,从而保证了SIP封装结构的气密性。
搜索关键词: 一种 大功率 sip 焊接 封装 结构 方法
【主权项】:
一种大功率SIP金锡焊接封装结构,其特征在于:包括金属管壳(1)、陶瓷电路片(2)、功率芯片(3)、玻珠(4)、微带传输线(5)和管帽(7),所述金属管壳(1)为顶部具有开口的壳体结构,在所述金属管壳(1)的内底面上焊接固定有陶瓷电路片(2),在所述陶瓷电路片(2)一侧的金属管壳(1)的内底面上还焊接固定有功率芯片(3),所述玻珠(4)从金属管壳(1)一侧的侧壁插入,所述微带传输线(5)从金属管壳(1)另一侧的侧壁插入,所述功率芯片(3)分别与陶瓷电路片(2)、玻珠(4)和微带传输线(5)电连接,所述管帽(7)固定在金属管壳(1)的开口处。
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