[发明专利]一种半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201710831396.8 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN107658317B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 朱继锋;吕震宇;陈俊;胡禺石;陶谦;杨士宁;杨伟毅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578;H01L27/1157;H01L27/11551;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制备方法，所述半导体装置由下到上依次包括：硅衬底；形成在所述硅衬底上方的一个或多个NAND串；形成在所述NAND串上方的一个或多个外围器件；形成在所述一个或多个外围器件上方的单晶硅层，和形成在所述一个或多个外围器件和一个或多个NAND串之间的一个或多个第一互联层。外围器件和阵列器件通过粘结界面结合。本发明通过将阵列器件和外围器件的制作分开，能够避免两个器件制造时互相影响对方的制作过程，因此解决了现有技术中后面的层的制作受前面的层制作后温度限制的问题，从而获得了良好的外围器件性能。另外由于外围器件叠加在阵列器件之上，实现了高器件密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种NAND存储器，包括：硅衬底；形成在所述硅衬底上方的一个或多个NAND串；形成在所述NAND串上方的一个或多个外围器件；形成在所述一个或多个外围器件上方的单晶硅层，和形成在所述一个或多个外围器件和一个或多个NAND串之间的一个或多个第一互联层；形成在所述一个或多个外围器件上方的第二互联层，其中，所述第二互联层包含一个或多个形成在一个或多个绝缘层中的导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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