[发明专利]一种LC压控振荡器的开关电容阵列在审
| 申请号： | 201710831633.0 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN107707200A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 项骏;王慧;赵庆中 | 申请（专利权）人： | 北京华大九天软件有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 100102 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种LC压控振荡器的开关电容阵列，包括NMOS管、PMOS管、开关电容，以及电平调节电路，其中，第一至第三NMOS管、第一和第二PMOS管的栅极相连于控制节点；第一和第三NMOS管、第一PMOS管的漏极相连于第一节点，并与第一开关电容相连，控制第一开关电容的接通与断开；第二NMOS管、第二PMOS管的漏极与第三NMOS管的源极相连于第二节点，并与第二开关电容相连，控制第二开关电容的接通与断开；第一和第二PMOS管的源极相连于第三节点，并通过电平调节电路与电源电压相连；第一和第二NMOS管的源极接地。本发明的LC压控振荡器的开关电容阵列，可以增加开关电容阵列中开关管的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 lc 压控振荡器 开关 电容 阵列 | ||
【主权项】：
一种LC压控振荡器的开关电容阵列，其特征在于，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一开关电容、第二开关电容，以及电平调节电路，其中，所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第三NMOS管、所述第一PMOS管、所述第二PMOS管的栅极相连于控制节点；所述第一NMOS管、所述第三NMOS管、所述第一PMOS管的漏极相连于第一节点，并与所述第一开关电容相连，控制所述第一开关电容的接通与断开；所述第二NMOS管、所述第二PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极相连于第二节点，并与所述第二开关电容相连，控制所述第二开关电容的接通与断开；所述第一PMOS管、所述第二PMOS管的源极相连于第三节点，并通过所述电平调节电路与电源电压相连；所述第一NMOS管、所述第二NMOS管的源极接地。
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