[发明专利]半导体器件

摘要

本发明公开半导体器件。一种半导体器件包括半导体主体，其包括第一侧、第一导电类型的基极区，以及通过绝缘沟槽栅极电极结构与彼此分离的两个半导体台面，所述绝缘沟槽栅极电极结构从第一侧延伸到基极区中并且包括栅极电极和将栅极电极与半导体主体分离的电介质层。所述两个半导体台面中的每一个在垂直于第一侧的截面中包括与基极区形成第一pn结的第二导电类型的主体区、布置在主体区与第一侧之间并且具有比主体区更高的掺杂浓度的第二导电类型的闩锁安全区，以及布置在电介质层处并且在电介质层与闩锁安全区之间并且与主体区形成第二pn结的第一导电类型的发射极区。

主权项

一种半导体器件（100、200、300、400），包括：‑ 半导体主体（40），其包括第一侧（101），第一导电类型的基极区（1），以及通过绝缘沟槽栅极电极结构（8、12）与彼此分离的两个半导体台面（50），所述绝缘沟槽栅极电极结构（8、12）从第一侧（101）延伸到基极区（1）中并且包括栅极电极（12）和将栅极电极（12）与半导体主体（40）分离的电介质层（8），其中两个半导体台面（50）中的每一个在垂直于第一侧（101）的截面中包括与基极区（1）形成第一pn结（14）的第二导电类型的主体区（2）、布置在主体区（2）与第一侧（101）之间并且包括比主体区（2）更高的掺杂浓度的第二导电类型的闩锁安全区（5）、以及布置在电介质层（8）处并且在电介质层（8）与闩锁安全区（5）之间并且与主体区（2）形成第二pn结的第一导电类型的发射极区（3），其中所述两个半导体台面（50）中的至少一个在截面中包括与闩锁安全区（5）和发射极区（3）形成相应欧姆接触的发射极接触件（10a），并且其中接触区（4）埋覆在所述两个半导体台面（50）中的一个的主体区（2）中，包括比主体区（2）更高的掺杂浓度，并且与发射极接触件（10a）和主体区（2）形成相应的欧姆接触。