[发明专利]一种平面钙钛矿太阳能电池的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710831994.5 申请日: 2017-09-15
公开(公告)号: CN107706309B 公开(公告)日: 2020-05-26
发明(设计)人: 吴素娟;蔡洋洋;陆旭兵;刘俊明 申请(专利权)人: 华南师范大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 代理人: 潘雯瑛
地址: 510631 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种平面钙钛矿太阳能电池的制备方法,该方法是在新鲜制备的钙钛矿层上直接旋涂各聚合物的氯苯溶液,然后对其进行热处理,得到经过修饰的钙钛矿层,所述聚合物为聚(2‑甲氧基,5(2'‑乙基己氧基)‑1,4‑苯撑乙烯撑)、聚甲基丙烯酸甲酯和聚乙二醇中的任意一种。该方法可在调控钙钛矿层微结构的同时,修饰钙钛矿层与空穴传导层之间的界面,以制备高效率的钙钛矿电池,而且无需额外的热处理工艺。本发明采用聚合物修饰钙钛矿吸光层与空穴传导层间的界面,以提高电池的光电性能和电池效率,所述制备方法制得的平面钙钛矿太阳能电池的电池效率明显高于未经过聚合物修饰的平面钙钛矿太阳能电池。
搜索关键词: 一种 平面 钙钛矿 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
一种平面钙钛矿太阳能电池的制备方法,该制备方法通过在透明导电衬底上依序制备出电子传导层、钙钛矿层、空穴传导层和金属电极,得到由透明导电衬底、电子传导层、钙钛矿层、空穴传导层和金属电极依次层叠而成的平面钙钛矿太阳能电池;其特征在于:在制备钙钛矿层之后、制备空穴传导层之前进行界面修饰,所述界面修饰为:直接在制得的钙钛矿层上旋涂聚合物的氯苯溶液,然后对其进行热处理,得到经过修饰的钙钛矿层,所述聚合物为聚(2‑甲氧基,5(2'‑乙基己氧基)‑1,4‑苯撑乙烯撑)、聚甲基丙烯酸甲酯和聚乙二醇中的任意一种。
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