[发明专利]增进效能的垂直装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201710832240.1 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN108074982B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | E·J·诺瓦克;R·R·罗比森;B·A·安德森 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及增进效能的垂直装置及其形成方法，揭示数种增进效能的垂直装置(例如，垂直场效晶体管(FET)或并入垂直FET的互补金属氧化物半导体(CMOS)装置)及形成此类装置的方法。带应变介电层横向毗邻垂直FET的栅极，这增加该通道区内的电荷载子移动率且改善效能。在垂直n型FET(NFET)中，应变为压缩型以改善垂直NFET内的电流方向所给定的电子移动率；然而，在垂直p型FET(PFET)中，应变为拉伸型以改善在垂直PFET内的电流方向所给定的空穴移动率。可选择地，垂直FET相对于它形成于其上的半导体晶圆的表面平面的取向也针对最佳电荷载子移动率加以预先计画成为FET的类型(亦即，NFET或PFET)的函数，且从而增强效能。 | ||
| 搜索关键词： | 增进 效能 垂直 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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