[发明专利]多指FET中的热管理

摘要

本公开涉及多指FET中的热管理。本公开通过提供多栅指FET布置而在多栅指场效应晶体管(FET)中解决热问题，其中多个栅指之间的相应距离沿着器件被调制，使得在器件的中间或朝向器件的中间的栅指之间的距离大于在器件的边缘或朝向器件的边缘的栅指之间的距离。通过在位于在器件的中间或朝向器件的中间的栅指之间设置更大的距离，然后获得改进的热管理性能，并且器件作为整体保持比其他情况更冷，这是与器件寿命相关的改进。

主权项

构造用于热能管理的晶体管器件，所述晶体管器件包括在半导体基板内形成的多个有源区域，所述有源区域分别由具有其上形成的端子电极的其它区域分开，所述端子电极包括通过各自的电极间距彼此分开的导电元件，所述电极间距离从所述晶体管器件的边缘向所述晶体管器件的中间增加。