[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710833271.9 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN108281162B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 金昌铉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C11/406;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 程强;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可以提供一种半导体器件。半导体器件可以包括错误擦洗控制电路和/或激活时段信号发生电路。错误擦洗控制电路可以被配置成基于存储体激活信号和行地址信号来产生用于执行存储体中所包括的存储单元的错误擦洗操作的错误擦洗预充电信号和错误擦洗存储体信号，所述存储体激活信号和所述行地址信号基于刷新信号来产生。激活时段信号发生电路可以被配置成基于错误擦洗存储体信号来从存储体激活信号和错误擦洗预充电信号产生激活时段信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：错误擦洗控制电路，被配置成基于存储体激活信号和行地址信号来产生用于执行存储体中所包括的存储单元的错误擦洗操作的错误擦洗预充电信号、错误擦洗存储体信号、错误擦洗读取信号、错误擦洗写入信号和列地址信号，所述存储体激活信号和所述行地址信号基于刷新信号来产生；以及激活时段信号发生电路，被配置成基于错误擦洗存储体信号来从存储体激活信号和错误擦洗预充电信号产生激活时段信号。
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