[发明专利]一种铅基高介电常数电容器介质材料及其制备方法在审
申请号: | 201710833317.7 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN107473743A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 靳立;罗文汀;魏晓勇 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622;C04B41/88;H01G4/12 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 王霞 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种铅基高介电常数电容器介质材料及其制备方法,属于电容器介质材料制备技术领域,该材料体系可以在较低的温度下烧结,且其室温(25℃)介电常数超过5000,并且在较宽的温度范围内保持较高的介电常数,致密度高。同时,在此体系基础上进行后续的掺杂改性,有望在–55℃到125℃温度之间保持介电常数变化率小于±15%,即X7R陶瓷电容器的温度标准,具有作为MLCC陶瓷电容器瓷料粉体的潜质。该制备方法采用两步固相反应,操作简单,对设备要求低,在保证产物介电常数高的同时烧结温度相对较低(1300℃以下),反应条件易控,重复性好。 | ||
搜索关键词: | 一种 铅基高 介电常数 电容器 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铅基高介电常数电容器介质材料,其特征在于,该介质材料由式(1)所示的组分以及式(1)中各组分总质量2%的SrTiO3组成;0.3575PbTiO3‑xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑(0.6425‑x)Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(1);其中,x=0.41~0.47。
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