[发明专利]具有改良轮廓的双通道喷淋头

摘要

公开了一种具有改良轮廓的双通道喷淋头。所描述的处理腔室可包括腔室外壳，所述腔室外壳至少部分限定半导体处理腔室的内部区域。腔室可包括底座。腔室可包括定位在盖与处理区域之间的第一喷淋头，并且可包括定位在第一喷淋头与处理区域之间的面板。腔室也可包括定位在半导体处理腔室的面板与处理区域之间的所述腔室内的第二喷淋头。第二喷淋头可包括耦合在一起的至少两个板以限定在所述至少两个板之间的容积。所述至少两个板可至少部分限定通过第二喷淋头的通道，并且每个通道可由在所述通道的第一末端处的第一直径表征并可由在所述通道的第二末端处的多个端口表征。

主权项

一种半导体处理腔室，包含：腔室外壳，至少部分限定所述半导体处理腔室的内部区域，其中所述腔室外壳包含盖；底座，配置成支撑在所述半导体处理腔室的处理区域内的基板；以及第一喷淋头，定位在所述半导体处理腔室内，所述半导体处理腔室包含耦合在一起的至少两个板以限定在所述至少两个板之间的容积，其中所述至少两个板至少部分限定通过所述第一喷淋头的通道，并且其中每个通道由在所述通道的第一末端处的第一直径表征并由在所述通道的第二末端处的多个端口表征。