[发明专利]图像传感器及其制造方法

摘要

本发明实施例提供一种具有高量子效率的图像传感器。在一些实施例中，半导体衬底包括非多孔性半导体层，所述非多孔性半导体层是沿着所述半导体衬底的前侧。周期性结构是沿着所述半导体衬底的后侧。高吸收性层在所述半导体衬底的所述后侧上对所述周期性结构进行衬覆。所述高吸收性层是能量带隙小于所述非多孔性半导体层的能量带隙的半导体材料。光检测器位于所述半导体衬底及所述高吸收性层中。本发明实施例还提供一种制造图像传感器的方法。

主权项

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，包括非多孔性半导体层，其中所述非多孔性半导体层是沿着所述半导体衬底的前侧；沿着所述半导体衬底的后侧的周期性结构，其中所述周期性结构包括由所述半导体衬底界定的多个突起；高吸收性层，在所述半导体衬底的所述后侧上对所述周期性结构进行衬覆，其中所述高吸收性层是能量带隙小于所述非多孔性半导体层的能量带隙的半导体材料；以及光检测器，位于所述半导体衬底及所述高吸收性层中。