[发明专利]一种原位制备石墨复合物薄膜材料的方法在审
申请号: | 201710834061.1 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN107587116A | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 张连昌;杨海 | 申请(专利权)人: | 昆明学院 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/513;C23C16/448 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 | 代理人: | 廖慧敏 |
地址: | 650000 云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明公开了一种原位制备石墨复合物薄膜材料的方法,所述石墨复合物薄膜材料是以硅油和低碳烃气体为原料,经等离子体增强化学气相沉积法直接生长获得。本发明所用的原料配方为甲烷或者其他含碳气体和硅油的混合物,通过离子体增强化学气相沉积法直接生长获得,生产原料简单且相对环保,生产过程简单、生产成本低,生成的薄膜材料与衬底接触牢固,即使浸泡在HF酸中都不会脱落、溶解,且所制备的薄膜材料致密,稳定,能够经受高温氧气等离子和HF腐蚀。 | ||
搜索关键词: | 一种 原位 制备 石墨 复合物 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】:
一种原位制备石墨复合物薄膜材料的方法,其特征在于,所述石墨复合物薄膜材料是以硅油和低碳烃气体为原料,经等离子体增强化学气相沉积法直接生长获得。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的