[发明专利]半导体结构、半导体装置的制造方法以及设计布局的方法有效
| 申请号： | 201710834344.6 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN108807317B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 葛贝夫·辛格;李智铭;林其谚;郭文昌;刘洲宗 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫是在电路区域内，且第二接触衬垫是在非电路区域内。第二接触衬垫的边缘是被暴露，而第一接触衬垫的周围及第二接触衬垫的边缘是被第一缓冲层覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 装置 制造 方法 以及 设计 布局 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包含：形成一第一接触衬垫及一第二接触衬垫在一第一钝化层上，其中该第一接触衬垫是在一电路区域内，且该第二接触衬垫是在一非电路区域内；沉积一第一缓冲层在该第一接触衬垫及该第二接触衬垫上，其中该第二接触衬垫的一边缘是被暴露，且该第一接触衬垫的一周围及该第二接触衬垫的另一边缘是被该第一缓冲层覆盖；以及沉积一第二缓冲层在该第一缓冲层及该第二接触衬垫上。
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