[发明专利]表面等离激元增强火山口型3D垂直结构LED结构及制备方法有效
| 申请号： | 201710834934.9 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN108461581B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 李虞锋;云峰;王帅 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/20 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面等离激元增强火山口型3D垂直结构LED结构及制备方法：通过在p‑GaN表面制作火山口型的表面等离激元耦合及三维量子阱发光阵列，在垂直结构LED器件中引入表面等离激元火山口型界面与量子阱发生耦合，不仅能够充分通过表面等离激元与量子阱的耦合提高垂直结构LED的内量子效率，而且能够利用火山口型耦合可以显著改善表面等离激元增强型LED器件的载流子注入效率。不仅如此，火山口型形貌和量子阱发光阵列三维排布设计，更有利于发光区激子能量耦合到表面等离激元后向外辐射出光子并从器件表面出射，因此，还能增强垂直结构LED器件的光提取效率。本发明所提出的3D多功能复合垂直结构LED结构，具有实际推广应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 表面等离激元 垂直结构LED 火山口 耦合 量子阱 发光阵列 制备 三维 载流子注入效率 形貌 光提取效率 内量子效率 激子能量 器件表面 发光区 增强型 耦合到 光子 出射 后向 排布 复合 辐射 引入 制作 | ||
【主权项】：
1.表面等离激元增强火山口型3D垂直结构LED结构，其特征在于，包括火山口型3D垂直结构LED器件以及表面等离激元，所述火山口型3D垂直结构LED器件为三维微纳米量子阱发光阵列排布，其中单个三维微纳米量子阱发光阵列单元的P型GaN表面设置为火山口型微纳米孔洞，表面等离激元设置在3D垂直结构LED器件的火山口型微纳米孔洞表面上。
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