[发明专利]一种耐弯折钙钛矿太阳能电池及制备方法在审
| 申请号： | 201710839590.0 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107611190A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 谈利承;陈义旺;黄增麒;胡婷 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L31/0256 | 分类号： | H01L31/0256;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种耐弯折钙钛矿太阳能电池，包括透明衬底、负极、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层、正极，其特征是所述钙钛矿活性层由钙钛矿材料和添加剂组成；所述的添加剂为聚氨酯；所述的钙钛矿材料为CH3NH3PbI3、CH3NH3PbI3‑xClx或(FAPbI3)1‑x(MAPbBr3)x；添加剂聚氨酯按0.01 wt%~5wt%质量浓度添加至钙钛矿前驱体溶液。本发明通过对钙钛矿前驱体溶液引入聚氨酯，在调控钙钛矿晶体成核、减缓其结晶速率的同时，提高了钙钛矿薄膜的耐弯折性能，为制备高性能柔性钙钛矿太阳能电池提供了新的思路，以实现钙钛矿太阳能电池柔性卷对卷的商业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐弯折钙钛矿 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种耐弯折钙钛矿太阳能电池，包括透明衬底、负极、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层、正极，其特征是所述钙钛矿活性层由钙钛矿材料和添加剂组成；所述的添加剂为聚氨酯；所述的钙钛矿材料为CH3NH3PbI3、CH3NH3PbI3‑xClx或(FAPbI3)1‑x(MAPbBr3)x；添加剂聚氨酯按0.01 wt% ~ 5wt%质量浓度添加至钙钛矿前驱体溶液；所述的太阳能电池为正式结构或反式结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
