[发明专利]使用复合PEALD和PECVD方法的可变深宽比特征的间隙填充在审
申请号: | 201710839679.7 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN107665811A | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 康胡;尚卡尔·斯娃米纳森;钱俊;金万基;丹尼斯·豪斯曼;巴特·J·范施拉芬迪克;阿德里安·拉瓦伊 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/285;H01L21/67;H01L21/762;H01L21/768;C23C16/04;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 李献忠,张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及使用复合PEALD和PECVD方法的可变深宽比特征的间隙填充,具体提供了用于填充半导体衬底上的一个或多个间隙的方法及设备。公开的实施方式尤其适用于在窄特征和宽特征中进行无接缝无孔洞的填充。所述方法可以在没有任何中间蚀刻操作的情况下进行以获得单步沉积。在多种实施方式中,使用新型PEALD填充机理进行第一操作以填充窄间隙并且在宽间隙中形成衬里。可以使用PECVD方法进行第二操作以继续填充宽间隙。 | ||
搜索关键词: | 使用 复合 peald pecvd 方法 可变 特征 间隙 填充 | ||
【主权项】:
一种在衬底表面上填充间隙的方法,所述方法包括:(a)引导气相的第一反应物进入里面有所述衬底的反应室中,并且使所述第一反应物能吸附在所述衬底表面上;(b)引导气相的第二反应物进入所述反应室中,并且使所述第二反应物能吸附在所述衬底表面上;(c)使所述衬底表面暴露于等离子体以驱动所述衬底表面上所述第一反应物与所述第二反应物之间的表面反应,从而形成构成所述间隙的衬里的膜;(d)清扫或净化所述反应室;(e)引导气相的至少第三反应物进入所述反应室中;并且(f)从至少所述第三反应物产生等离子体以驱动气相反应,其中所述气相反应物产生间隙填充材料,并且其中所述间隙填充材料部分或完全填充所述衬底表面上的所述间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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