[发明专利]一种基于硅纳米膜的柔性底栅多沟道晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710839724.9 | 申请日： | 2017-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN107611171A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 秦国轩;张一波;赵政;王亚楠;党孟娇 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300192*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于硅纳米膜的柔性底栅多沟道晶体管及其制备方法，是以PET衬底作为模板，采用磁控溅射的方式在PET衬底上镀一层ITO导电薄膜，采用磁控溅射的方式在ITO薄膜上镀一层Al2O3/TiO2堆栈式氧化物作为晶体管的绝缘栅氧层，采用光刻工艺将SOI上光刻需要注入的源漏区，进行离子注入，形成晶体管的掺杂区，通过下一层的光刻工艺，在SOI上刻紧密排列的方孔，在离子刻蚀机中将方孔硅刻蚀之后，在HF中湿法刻蚀，刻蚀掉SOI的埋氧层之后，将脱落的硅纳米膜4转移到做完栅氧化物的PET衬底之上，最后通过光刻工艺镀上源漏以及栅极的金属电极，完成器件的制作。本发明当塑料衬底弯曲时，依旧可以满足器件的正常工作，可用于大规模柔性集成电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 柔性 底栅多 沟道 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅纳米膜的柔性底栅多沟道晶体管，包括由下至上设置的PET衬底(1)和ITO导电薄膜(2)，其特征在于，所述的ITO导电薄膜(2)的上端面设置有连接外部电源的氧化铝/氧化钛栅极(3)，所述氧化铝/氧化钛栅极(3)的上端面设置有硅纳米膜(4)，所述硅纳米膜(4)的上端面设置有连接外部电源的：位于中间的源极金属(6)、位于源极金属(6)左侧的左侧漏极金属(5)和位于源极金属(6)右侧的右侧漏极金属(7)，在所述硅纳米膜(4)内上下贯穿的嵌入有：对应于所述左侧漏极金属(5)的左侧n型漏掺杂区(8)、对应于所述源极金属(6)的n型源掺杂区(9)和对应于所述右侧漏极金属(7)的右侧n型漏掺杂区(10)。
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