[发明专利]一种可进行刺激输出的低温等离子消融系统有效
申请号: | 201710840505.2 | 申请日: | 2017-09-18 |
公开(公告)号: | CN109512503B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 黄雍俊;梁瑶 | 申请(专利权)人: | 四川锦江电子科技有限公司 |
主分类号: | A61B18/02 | 分类号: | A61B18/02 |
代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 韩洋;熊晓果 |
地址: | 610045 四川省成都市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种可进行刺激输出的低温等离子消融系统,其包括:低温等离子控制系统和刺激系统;其中,低温等离子控制系统包括控制MCU、低温等离子产生装置和低温等离子输出端口;控制MCU通过驱动控制信号控制低温等离子产生装置产生电能信号,并通过低温等离子输出端口将产生的电能信号输出至目标位置,以在目标位置产生预设温度和数量的等离子体;刺激系统包括刺激MCU、刺激产生装置和刺激输出端口;刺激MCU通过驱动刺激产生装置来产生预设的刺激输出信号,并通过刺激输出端口将刺激输出信号输出至目标位置,同时还可以通过刺激端口选择,通过低温等离子输出端口输出刺激信号。该系统能够甄别待处理部位周围的神经,准确判断不同神经类型,从而避免对神经的误伤,提高低温等离子消融的安全性。 | ||
搜索关键词: | 一种 进行 刺激 输出 低温 等离子 消融 系统 | ||
【主权项】:
1.一种可进行刺激输出的低温等离子消融系统,其特征在于,所述低温等离子消融系统包括:低温等离子控制系统和刺激系统;其中,低温等离子控制系统包括控制MCU、低温等离子产生装置和低温等离子输出端口;控制MCU通过驱动控制信号控制低温等离子产生装置产生电能信号,并通过低温等离子输出端口将产生的电能信号输出至目标位置,以在目标位置产生预设温度和数量的等离子体;刺激系统包括刺激MCU、刺激产生装置和刺激输出端口;刺激MCU通过驱动刺激产生装置来产生预设的刺激输出信号,并通过刺激输出端口将刺激输出信号输出至目标位置。
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