[发明专利]使用半双向图案化形成半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种使用半双向图案化形成半导体器件的方法。提供了使用半双向图案化制造集成电路器件的器件和方法。一种方法例如包括：获得具有电介质层、第一硬掩模层、第二硬掩模层、第三硬掩模层和光刻叠层的中间半导体器件；图案化第一组线；在第一组线之间图案化第二组线；蚀刻以限定第一和第二组线的组合；沉积第二光刻叠层；沿垂直于第一和第二组线的方向图案化第三组线；蚀刻以限定第三组线，留下OPL；在OPL上沉积间隔物；蚀刻间隔物，留下垂直间隔物的组；以及使用第三硬掩模层和垂直间隔物的组作为掩模蚀刻第二硬掩模层。

主权项

1.一种方法，包括：获得具有电介质层、第一硬掩模层、第二硬掩模层、第三硬掩模层和光刻叠层的中间半导体器件；沿第一方向图案化第一组线；在所述第一组线之间沿所述第一方向图案化第二组线；蚀刻所述光刻叠层以限定所述第三硬掩模层中的所述第一和第二组线的组合；在所述第二硬掩模层和所述第三硬掩模层上沉积第二光刻叠层；沿垂直于所述第一和第二组线的第二方向图案化第三组线；蚀刻限定所述第三硬掩模层中的所述第三组线的所述第二光刻叠层，在其中所述第三组线未被蚀刻的所述第三掩模层上方留下OPL；在所述OPL和所述第三组线中的所述第二硬掩模层之上沉积间隔物；蚀刻所述间隔物，留下衬在所述第三组线上的垂直间隔物组；去除所述OPL；以及使用所述第三硬掩模层和所述垂直间隔物组作为掩模蚀刻所述第二硬掩模层。