[发明专利]具有复合式顶部电极的内嵌式存储器装置有效
| 申请号： | 201710840815.4 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN108123034B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 林杏莲;金海光;张耀文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种具有复合式顶部电极的存储器胞。底部电极安置于衬底上方。具有可变电阻的切换介电层安置于所述底部电极上方。覆盖层安置于所述切换介电层上方。复合式顶部电极安置于所述覆盖层上方且邻接所述覆盖层。所述复合式顶部电极包含氮化钽TaN层及直接安置于所述氮化钽层上的氮化钛TiN膜。由于具有所述所揭示的复合式顶部电极，所以当暴露所述复合式顶部电极来形成顶部电极通路时，无需或不形成界面氧化层，借此改进所述顶部电极与所述顶部电极通路之间的RC性质。本发明实施例还提供一种用于制造所述存储器胞的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复合 顶部 电极 内嵌式 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器胞，其包含：底部电极，其安置于衬底上方；切换介电层，其安置于所述底部电极上方且具有可变电阻；覆盖层，其安置于所述切换介电层上方；及复合式顶部电极，其安置于所述覆盖层上方且邻接所述覆盖层，其中所述复合式顶部电极包含一个氮化钽TaN层及直接安置于所述氮化钽层上的一个氮化钛TiN膜。
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