[发明专利]一种用于半导体激光器的频率精密可调式脉冲发生电路

摘要

本发明公开了一种用于半导体激光器的频率精密可调式脉冲发生电路，它包括微控制器、DDS模块及雪崩晶体管脉冲产生电路，所述微控制器连接DDS模块，DDS模块连接雪崩晶体管脉冲产生电路，DDS模块作为触发信号、雪崩晶体管脉冲产生电路接收触发信号从而激发电容产生脉冲信号。本发明利用微控制器通过Keil软件和STC‑ISP软件对DDS模块中的AD9851芯片写入不同频率控制字从而产生不同的频率作为触发信号提供给后级雪崩晶体管脉冲产生电路，从而得到不同的频率的脉冲信号。频率可调范围为0‑60MHz，且脉冲宽度也能通过改变供电电压来调节，可以方便的应用于半导体激光器的驱动。

主权项

1.一种用于半导体激光器的频率精密可调式脉冲发生电路，其特征在于，该电路包括微控制器、DDS模块及雪崩晶体管脉冲产生电路，所述微控制器连接DDS模块，DDS模块连接雪崩晶体管脉冲产生电路，其中：所述DDS模块包括：AD9851芯片、AD9851芯片引脚VINP、IOUT连接的低通滤波网络电路、AD9851芯片引脚CLK连接的有源晶振U2及AD9851芯片引脚VINN连接的比较器正向输入电路，所述AD9851芯片引脚D0、D1分别接电阻R1、电阻R2后并联由电容C6、电容C7并联接地形成的滤波电路后连接电源VCC；AD9851芯片引脚RSET接电阻R3后接地；AD9851芯片引脚QOUT接电容C4后接Vout1端口；AD9851芯片引脚 DACBP连接电容C5后接地；所述雪崩晶体管脉冲产生电路包括：电容C15、电容C16、电容C17、电容C18、电阻R12、电阻R13、电阻R14及雪崩晶体管Q1，电容C15一端与触发信号连接，另一端与电阻R12、雪崩晶体管Q1基极连接，电阻R12另一端接地；雪崩晶体管Q1集电极连接电阻R13、电容C18，雪崩晶体管Q1发射极接地；电阻R13另一端接电源VCC2同时并联电容C16及电容C17；电容C18另一端接负载电阻R14同时接输出Vout2端口；电阻R14另一端接地；其中：所述低通滤波网络电路具体为：电阻R9、电阻R10与电容C8、电容C9、电容C10串联后并联电容C11、电容C12、电容C13、电容C14，然后电容C8、电容C9、电容C10分别并联电感L1、电感L2、电感L3，通过电阻R11接入AD9851芯片引脚VINP端；电阻R9的一端接AD9851芯片引脚IOUT；所述比较器正向输入电路具体为：变阻器R7的两个固定端与串联电阻R5和电阻R6共享电源VCC和地形成并联回路，变阻器R7的可移动端与电阻R5、 电阻R6的接触端相连并连接到AD9851芯片引脚VINN；电阻R4与该并联回路串联，一端连接电源VCC，一端连接AD9851芯片引脚VINN；所述变阻器R7为可调电阻，用于调节AD9851芯片输出方波信号的占空比。