[发明专利]一种SiC外延表面的预处理及外延生长方法在审
| 申请号： | 201710841324.1 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109518271A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SiC外延表面的预处理及外延生长方法，其中预处理包括以下步骤：将具有SiC晶体表面的晶片放入反应腔室中在氢气氛下加热至第一温度；在所述反应腔室中通入一定量的硅的氯化物，继续加热至第二温度，并在所述第二温度下保持一段时间；其中，所述第二温度高于所述第一温度，且所述第二温度和所述第一温度均高于1000℃且低于1600℃。本发明采用硅的氯化物及氢对SiC外延表面进行预处理，可以降低反应腔室气压并控制预处理的温度低于1600℃，从而可在去除SiC表面原生氧化物的同时，有效的提高SiC外延表面光滑度，减少表面缺陷，后续外延生长AlN、GaN或SiC薄膜可以得到高质量、低缺陷的SiC外延片。 | ||
| 搜索关键词： | 预处理 外延表面 外延生长 氯化物 反应腔室 加热 反应腔室气压 原生氧化物 表面缺陷 晶体表面 低缺陷 光滑度 外延片 放入 晶片 去除 | ||
【主权项】：
1.一种SiC外延表面的预处理方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将具有SiC晶体表面的晶片放入反应腔室中在氢气氛下加热至第一温度；在所述反应腔室中通入一定量的硅的氯化物，继续加热至第二温度，并在所述第二温度下保持一段时间；其中，所述第二温度高于所述第一温度，且所述第二温度和所述第一温度均高于1000℃且低于1600℃。
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