[发明专利]一种OLED器件制作方法及相应的OLED器件在审
| 申请号： | 201710841649.X | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107706311A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 郭天福 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙)44238 | 代理人： | 潘中毅,熊贤卿 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种OLED器件制作方法，包括步骤在玻璃基板之上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；在所述衬底基板上面制备TFT层；在所述TFT层上制作OLED器件层；在所述OLED器件层上制备薄膜封装层，使所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层；将所述玻璃基板从所述衬底基板上剥离，并在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆保护层。本发明还公开了相应的OLED器件。实施本发明实施例，可以提高OLED器件中PI层的阻水氧性能，提高OLED器件寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 oled 器件 制作方法 相应 | ||
【主权项】：
一种OLED器件制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在玻璃基板上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；在所述衬底基板上制备TFT层；在所述TFT层上制作OLED器件层；在所述OLED器件层上制备薄膜封装层，使所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层；将所述玻璃基板从所述衬底基板上剥离，并在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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