[发明专利]一种NiB助剂改性的钒酸铋纳米多孔薄膜电极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201710841825.X | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109518213B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 巩金龙;党珂;常晓侠;王拓 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25B11/03 | 分类号： | C25B11/03;C25B11/06;C25B1/04;C25D9/04 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种NiB助剂改性的钒酸铋纳米多孔薄膜电极及其制备方法和应用，NiB助催化剂为颗粒状附着于钒酸铋纳米多孔薄膜的表面，NiB助剂改性的钒酸铋纳米多孔薄膜的制备方法包括制备钒酸铋纳米多孔薄膜电极、液相还原制备NiB颗粒助剂、负载NiB助催化剂三个步骤。本发明有效地提高了钒酸铋纳米多孔光电极表面和体相载流子分离效率，光电化学池分解水性能优越，并且制备方法简单、原料廉价易得，可实现低成本、大规模的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nib 助剂 改性 钒酸铋 纳米 多孔 薄膜 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.NiB助剂改性的钒酸铋纳米多孔薄膜电极，其特征在于，由衬底和设置在衬底上的由NiB助剂改性的钒酸铋纳米多孔薄膜组成，采用电化学沉积的方法在衬底上沉积钒酸铋纳米多孔薄膜，再将NiB纳米颗粒负载到钒酸铋纳米多孔薄膜上；钒酸铋纳米多孔薄膜厚度为100—300nm，整体外观为致密的纳米珊瑚形状；NiB纳米颗粒尺寸范围为5—20nm，且表现为结晶度低的NiB，Ni元素和B元素的摩尔比值为(1—3)：1，NiB助剂在钒酸铋纳米多孔薄膜的负载量为6.5×10‑5‑1.5×10‑3mmol/cm2。
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