[发明专利]选择性发射极电池结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种选择性发射极电池结构的制备方法，括以下步骤S1、取制绒后的硅片，在APCVD沉积磷源或硼源，形成轻掺区；S2、激光开膜，轻掺区形成呈行列分隔的方块阵结构；S3、将硅片返回APCVD沉积磷源或硼源，进行高温推进，形成重掺区。本发明优势在于重掺区可根据激光开膜宽度进行调试，开膜对硅体损伤较小，扩散只需要升温推进即可，工艺制备简单，良率高、损伤小。

主权项

一种选择性发射极电池结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、取制绒后的硅片(1)，在APCVD沉积含有低浓度磷源或硼源的SiO2，形成轻掺区(3)；S2、激光开膜，开膜直线(2)分割轻掺区(3)形成分隔的长条矩阵结构；S3、将硅片(1)返回APCVD，沉积含有高浓度磷源或硼源的SiO2，进行高温推进，形成重掺区(4)，重掺区(4)侵入开膜直线(2)并覆盖轻掺区(3)。