[发明专利]一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本申请公开了一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括：对制绒之后的P型硅片正面进行磷扩散，得到的磷扩散层形成发射结；对所述磷扩散层进行热氧化，形成隧道氧化层；在所述隧道氧化层上面沉积厚度范围为5nm至20nm的多晶硅薄膜；去除所述P型硅片背面的绕镀和绕扩层，正面沉积氮化硅薄膜；在所述P型硅片的背面沉积氮化硅和氧化铝叠层薄膜并激光开孔，进行丝网印刷和烧结。上述P型晶体硅太阳能电池的制备方法，能够解决P型晶体硅正面钝化和金属化问题以及钝化接触结构中多晶硅薄膜的吸光问题，从而提高电池转换效率。

主权项

1.一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：对制绒之后的P型硅片正面进行磷扩散，得到的磷扩散层形成发射结；对所述磷扩散层进行热氧化，形成厚度范围为0.8nm至1.5nm的隧道氧化层；在所述隧道氧化层上面沉积厚度范围为5nm至20nm的多晶硅薄膜；去除所述P型硅片背面的绕镀和绕扩层，正面沉积氮化硅薄膜；在所述P型硅片的背面沉积氮化硅和氧化铝叠层薄膜并激光开孔，进行丝网印刷和烧结；所述在所述隧道氧化层上面沉积厚度范围为5nm至20nm的多晶硅薄膜为：利用低压化学气相沉积方式在所述隧道氧化层上面沉积厚度范围为5nm至20nm的多晶硅薄膜；所述正面沉积氮化硅薄膜为：利用等离子增强化学气相沉积方式在所述P型硅片的正面沉积厚度范围为60nm至120nm的氮化硅薄膜；所述在所述P型硅片的背面沉积氮化硅和氧化铝叠层薄膜为：利用原子层沉积方式在所述P型硅片的背面沉积厚度范围为6nm至15nm的氧化铝薄膜，利用等离子增强化学气相沉积方式在所述P型硅片的背面沉积厚度范围为100nm至150nm的氮化硅薄膜；所述激光开孔为：利用激光开设宽度范围为20μm至100μm的孔。