[发明专利]一种透明导电层及其制作方法、发光二极管有效
| 申请号： | 201710842710.2 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107681035B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王绘凝;许圣贤;洪灵愿;彭康伟;林素慧;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明导电层及其制作方法、发光二极管，包括：提供一基材；在所述基材上依次形成底层透明导电层以及顶层透明导电层；在所述顶层透明导电层上形成图案化掩膜层；通过蚀刻工艺，从所述顶层透明导电层顶面朝向底层透明导电层底面方向，蚀刻形成若干个孔洞，藉由底层透明导电层的蚀刻速率大于顶层透明导电层的蚀刻速率，使得孔洞呈上窄下宽结构。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电层 顶层 蚀刻 孔洞 基材 上窄下宽结构 图案化掩膜层 发光二极管 蚀刻工艺 底面 顶面 制作 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电层，包括：底层透明导电层以及顶层透明导电层，其特征在于：藉由底层透明导电层的蚀刻速率大于顶层透明导电层的蚀刻速率，通过蚀刻工艺，从所述顶层透明导电层顶面朝向底层透明导电层底面方向，形成若干个贯穿顶层透明导电层以及底层透明导电层的孔洞，且孔洞上窄下宽。/n
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