[发明专利]柔性衬底上硅纳米膜转数字逻辑反相器及其制作方法

摘要

本发明属于柔性数字电路设计与新型工艺制备领域，为设计并制备一种基于柔性PET衬底的数字反相器，采用磁控溅射的低温工艺，以及与传统CMOS工艺相兼容的新型柔性电子设计生产工艺，在柔性衬底上制备基本的数字电路反相器。此外，还实现降低生产成本。本发明，柔性衬底上硅纳米膜转数字逻辑反相器及其制作方法，由PET柔性基底、转移硅纳米膜、转移硅纳米膜上集成的PMOS管与NMOS管以及射频电感互联组成，位于顶部的PMOS管的漏极连接高电位，底部NMOS管源极连接低电位，以两个MOS管的共有栅极作为电路的输入端，PMOS管的源极作为电路的输出端。本发明主要应用于柔性数字电路设计制造场合。

主权项

一种柔性衬底上硅纳米膜转数字逻辑反相器，其特征是，由PET柔性基底、转移硅纳米膜、转移硅纳米膜上集成的PMOS管与NMOS管以及射频电感互联组成，位于顶部的PMOS管的漏极连接高电位，底部NMOS管源极连接低电位，以两个MOS管的共有栅极作为电路的输入端，PMOS管的源极作为电路的输出端，当输入电压为高电平时，NMOS管打开，PMOS管截止，输出为NMOS管底部连接的低电位，当输入电压为低电平时，PMOS管打开，NMOS管截止，输出电压为PMOS管相连的高电平，从而实现数字电路输入与输出电压之间的高低电平转换。