[发明专利]一种MPCVD制备GaN纳米线的方法有效

专利信息
申请号: 201710844514.9 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN107699863B 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 王如志;姬宇航;李瑞;严辉;张铭;王波;宋雪梅 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/517;C23C16/511;C23C16/513
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种MPCVD制备GaN纳米线的方法属于无机化合物半导体材料制备与生长方法领域。高质量GaN纳米线的可控制备是当前的一个技术难点,本发明采用设计的石英坩埚和石英罩克服了这一难点,首次采用MPCVD制备了高质量的GaN纳米线,并且摒弃了对环境有污染的NH3和危险气体H2,在整个制备过程中N2作为唯一气体,为GaN的环保绿色制备得到了一个新的突破。
搜索关键词: 纳米线 制备 半导体材料 无机化合物 技术难点 绿色制备 石英坩埚 危险气体 制备过程 可控制 石英罩 生长 污染 环保
【主权项】:
1.一种MPCVD制备GaN纳米线的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)Ga2O3粉末与炭粉以摩尔比为1:6‑1:12进行混合,研磨30min得到前驱物粉体;(2)使用镀膜仪,在经过清洗后烘干的硅衬底上镀厚度15nm的金属催化剂薄膜;(3)将采用上述步骤制备的前驱物粉体和衬底放入设计的坩埚,再将坩埚放入微波等离子体沉积系统中的反应腔内:反应气压3torr~10torr;衬底温度800℃‑900℃;N2流速5厘米3/分钟‑20厘米3/分钟;微波功率300W‑500W,调节微波匹配器至得到亮橙色辉光的等离子气体;反应时间10分钟以上;设计的坩埚包含方形石英坩埚和上部开口的半球面型石英罩。
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