[发明专利]一种MPCVD制备GaN纳米线的方法有效
申请号: | 201710844514.9 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN107699863B | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 王如志;姬宇航;李瑞;严辉;张铭;王波;宋雪梅 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/517;C23C16/511;C23C16/513 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种MPCVD制备GaN纳米线的方法属于无机化合物半导体材料制备与生长方法领域。高质量GaN纳米线的可控制备是当前的一个技术难点,本发明采用设计的石英坩埚和石英罩克服了这一难点,首次采用MPCVD制备了高质量的GaN纳米线,并且摒弃了对环境有污染的NH3和危险气体H2,在整个制备过程中N2作为唯一气体,为GaN的环保绿色制备得到了一个新的突破。 | ||
搜索关键词: | 纳米线 制备 半导体材料 无机化合物 技术难点 绿色制备 石英坩埚 危险气体 制备过程 可控制 石英罩 生长 污染 环保 | ||
【主权项】:
1.一种MPCVD制备GaN纳米线的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)Ga2O3粉末与炭粉以摩尔比为1:6‑1:12进行混合,研磨30min得到前驱物粉体;(2)使用镀膜仪,在经过清洗后烘干的硅衬底上镀厚度15nm的金属催化剂薄膜;(3)将采用上述步骤制备的前驱物粉体和衬底放入设计的坩埚,再将坩埚放入微波等离子体沉积系统中的反应腔内:反应气压3torr~10torr;衬底温度800℃‑900℃;N2流速5厘米3/分钟‑20厘米3/分钟;微波功率300W‑500W,调节微波匹配器至得到亮橙色辉光的等离子气体;反应时间10分钟以上;设计的坩埚包含方形石英坩埚和上部开口的半球面型石英罩。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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