[发明专利]一种MPCVD制备GaN纳米线的方法

摘要

一种MPCVD制备GaN纳米线的方法属于无机化合物半导体材料制备与生长方法领域。高质量GaN纳米线的可控制备是当前的一个技术难点，本发明采用设计的石英坩埚和石英罩克服了这一难点，首次采用MPCVD制备了高质量的GaN纳米线，并且摒弃了对环境有污染的NH₃和危险气体H₂，在整个制备过程中N₂作为唯一气体，为GaN的环保绿色制备得到了一个新的突破。

主权项

1.一种MPCVD制备GaN纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)Ga₂O₃粉末与炭粉以摩尔比为1：6‑1：12进行混合，研磨30min得到前驱物粉体；(2)使用镀膜仪，在经过清洗后烘干的硅衬底上镀厚度15nm的金属催化剂薄膜；(3)将采用上述步骤制备的前驱物粉体和衬底放入设计的坩埚，再将坩埚放入微波等离子体沉积系统中的反应腔内：反应气压3torr～10torr；衬底温度800℃‑900℃；N₂流速5厘米³/分钟‑20厘米³/分钟；微波功率300W‑500W，调节微波匹配器至得到亮橙色辉光的等离子气体；反应时间10分钟以上；设计的坩埚包含方形石英坩埚和上部开口的半球面型石英罩。