[发明专利]高空穴移动率晶体管有效
| 申请号： | 201710844740.7 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109524460B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 陈富信;林永豪;林鑫成;林信志;黄嘉庆 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;贾磊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种高空穴移动率晶体管，包括：背阻挡层，位于基板上；导通层，位于背阻挡层上；通道区，位于导通层中，邻近导通层与背阻挡层的界面；掺杂层，位于导通层上；栅极电极，位于掺杂层上；源极/漏极电极，分别位于栅极电极的两相对侧；及能带调整层，位于掺杂层上，并与栅极电极电连接；其中能带调整层为N型掺杂三五族半导体。本发明可形成增强型高空穴移动率晶体管，同时保持良好均匀性及通道低阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴 移动 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种高空穴移动率晶体管，其特征在于，包括：一背阻挡层，位于一基板上；一导通层，位于该背阻挡层上；一通道区，位于该导通层中，邻近该导通层与该背阻挡层的一介面；一掺杂层，位于该导通层上；一栅极电极，位于该掺杂层上；一源极/漏极电极，分别位于该栅极电极的两相对侧；及一能带调整层，位于该掺杂层上，并与该栅极电极电连接；其中该能带调整层为N型掺杂三五族半导体。
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