[发明专利]一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管有效
| 申请号： | 201710845321.5 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN107527951B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;陶宏;刘亚伟;刘承芳;刘杰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管。本发明中的一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管结构，通过元胞内部引入额外的多晶硅栅极结构，进而增大器件的输入电容。本发明的有益效果为，不显著影响器件导通特性的情况下提高了阴极短路栅控晶闸管的输入电容，使脉冲放电过程中器件输入电容上的电势差减小，进而有利于避免栅介质击穿，提高器件在脉冲应用情况下的鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 输入 电容 阴极 短路 晶闸管 | ||
【主权项】：
1.一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管，其元胞结构包括从下至上依次层叠设置的阳极(9)、阳极P+区(5)、N漂移区(4)和阴极(8)；所述N漂移区(4)上层具有以元胞垂直中线呈对称分布的2个P阱区(2)，所述P阱区(2)上层具有N阱区(1)，所述N阱区(1)上层具有阴极P+区(3)，且阴极P+区(3)位于远离另一个P阱区的一侧；在元胞两端及中部的阴极(8)与N漂移区(4)之间具有栅极(7)，且所述栅极(7)通过介质层(6)与阴极(8)以及N漂移区(4)隔离；所述P阱区(2)和N阱区(1)两端的上表面位于栅极(7)下方，所述阴极P+区(3)的一部分位于栅极(7)下方，另一部分与阴极(8)接触，所述位于元胞中部的栅极(7)，在沿器件同时垂直于水平面和垂直面的第三维方向，其中部的一段部分被阴极(8)隔离为以元胞垂直中线呈对称分布的两部分，且该两部分栅极(7)下方具有P型注入区，该P型注入区用于连接两侧分离的P阱区(2)并将其短接到阴极(8)。
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