[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201710846022.3 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN107871514A 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 萤原孝征 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C7/22
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 李兰,孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种半导体装置。如果数据的波形随速度增加而劣化,则通过采用数据选通信号不能获取数据信号。为了解决这个问题,第一选择单元基于从外部输入的第一选通信号产生指示以双倍数据速率从外部输入的用于传输数据信号的多个通道(Lane0、Lane1)中哪一个的第一选择信号。门单元基于第一选择信号将数据信号分配到任意通道(Lane0、Lane1)以输出数据信号(Data1_0、Data1_1)。随后,锁存器单元锁存输出至通道的数据信号(Data1_0、Data1_1)且输出数据信号(Data2_0、Data2_1)。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,传输以双倍数据速率从外部输入的数据信号,所述半导体装置包括:第一选择单元,所述第一选择单元用于基于从外部输入的第一选通信号来产生第一选择信号,所述第一选择信号指示选择用于传输所述数据信号的多个通道中的哪一个;门单元,所述门单元用于基于所述第一选择信号,将所述数据信号分配到任意通道中并且输出数据信号;以及锁存器单元,所述锁存器单元用于基于所述第一选择信号锁存输出至所述通道的所述数据信号。
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