[发明专利]一种低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法

摘要

本发明的低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法，具备如下步骤：将LTCC生瓷带切割成LTCC生瓷片，然后将切割好的多片LTCC生瓷片依次进行第一阶段叠层，从而分别形成上层盖板、子层板和下层板；将子层板与下层板进行第二阶段叠层，从而形成合层板；将上层盖板和合层板进行第三阶段叠层，从而形成带有空腔结构的LTCC巴块；对LTCC巴块进行切割后得到LTCC基板素坯，然后将LTCC基板素坯进行烧结；第三阶段叠层的工艺中的叠层压力、温度和时间均小于第一和第二阶段叠层的工艺中的参数。根据本发明，极大降低了带有空腔结构的低温共烧陶瓷基板的制造成本，有利于低温共烧陶瓷基板空腔结构的批量化生产。

主权项

1.一种低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法，具备如下步骤：/n步骤一，将LTCC生瓷带切割成LTCC生瓷片，然后将切割好的多片所述LTCC生瓷片依次进行第一阶段叠层，从而分别形成上层盖板和下层板；另对所述LTCC生瓷片进行打孔，然后将打好孔的多片所述LTCC生瓷片依次进行第一阶段叠层，从而形成带有空腔结构的子层板；/n步骤二，将所述子层板与所述下层板进行第二阶段叠层，从而形成合层板，在该叠层过程中，所述带有空腔结构的子层板位于所述下层板的上方；/n步骤三，将所述上层盖板和所述合层板进行第三阶段叠层，从而形成带有空腔结构的LTCC巴块；/n步骤四，对所述LTCC巴块进行切割后得到LTCC基板素坯，然后将所述LTCC基板素坯进行烧结；/n在上述步骤一至步骤三中，/n所述第一和第二阶段叠层采用相同工艺条件，所述第一和第二阶段叠层的工艺中，叠层压力为3~5 MPa，叠层温度为55~65℃，叠层时间为90~150秒；/n所述第三阶段叠层的工艺中的叠层压力、温度和时间均小于所述第一和第二阶段叠层的工艺中的参数，所述第三阶段叠层的工艺中，叠层压力为1~3 MPa，叠层温度为50~60℃，叠层时间为30~90秒；/n采用叠片机完成所述第一阶段叠层、第二阶段叠层、第三阶段叠层所有层压步骤。/n