[发明专利]用于锂电保护的开关器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法，该开关器件包括P+型衬底及P‑型外延层；N型阱区；两个P型阱区；两个栅极结构；共用的N‑型漂移区，形成于两个栅极结构之间；N型源区及P+型接触区；介质层，所述介质层中打开有第一接触窗口及第二接触窗口，所述第一区接触窗口内形成直至所述P+型衬底的沟槽；以及填充于所述沟槽及第二接触窗口内的电极材料。本发明采用共用漂移区的方式构建MOSFET器件，使得漂移区区域电阻可以大大降低，同时保证耐压不变。仅需通过一个沟槽电极便可将一个源区引到芯片（chip）背面，封装时可与基底焊接，降低接触电阻，在极低的内阻要求下非常有效，且可大大节省了工艺成本以及减小器件体积。

主权项

一种用于锂电保护的开关器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：1)提供一P+型衬底，于所述P+型衬底表面形成P‑型外延层；2)于所述P‑型外延层中形成N型阱区；3)于所述N型阱区中形成相隔排列的第一P型阱区及第二P型阱区；4)制作出第一栅极结构及第二栅极结构，所述第一栅极结构横跨于所述N型阱区及所述第一P型阱区之间，所述第二栅极结构横跨于所述N型阱区及所述第二P型阱区之间；5)于所述第一栅极结构与第二栅极结构之间形成N‑型漂移区；6)于所述第一P型阱区中形成第一N型源区及第一P+型接触区，于所述第二P型阱区中形成第二N型源区及第二P+型接触区；7)于器件表面形成第一介质层，于所述第一介质层中打开第一接触窗口，所述第一接触窗口对准所述第一N型源区及第一P+型接触区，基于所述第一接触窗口刻蚀所述P‑型外延层形成直至所述P+型衬底的沟槽，于所述沟槽中填充电极材料形成第一电极；8)于器件表面形成第二介质层，于所述第二介质层及第一介质层中打开第二接触窗口，所述第二接触窗口对准所述第二N型源区及第二P+型接触区，于所述第二接触窗口中填充电极材料形成第二电极。