[发明专利]含氮半导体元件有效
| 申请号： | 201710847728.1 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN107845707B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 方信乔;吕政学;林政宏;郑季豪;黄吉豊 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种含氮半导体元件，其包括第一型掺杂半导体层、多重量子阱层以及第二型掺杂半导体层。多重量子阱层包括多个能障层以及多个能阱层，这些能阱层与这些能障层交替排列。多重量子阱层位于第一型掺杂半导体层以及第二型掺杂半导体层之间，其中这些能阱层的其中之一与第二型掺杂半导体层连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
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