[发明专利]制备阵列基板的方法、阵列基板、显示装置有效
申请号: | 201710848240.0 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN107644879B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 苏磊;杨小飞;刘旭;李兴华 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了制备阵列基板的方法、阵列基板、显示装置。该方法包括:在基板上设置多个阵列排布的薄膜晶体管;在所述基板上沉积第一透明电极层,对所述第一透明电极层进行第一构图工艺处理,以便形成多个与所述薄膜晶体管的漏极相连的第一电极,以及连接相邻的所述第一电极的连接电极;在所述第一透明电极层远离所述基板的一侧设置功能结构;以及对所述连接电极进行第二构图工艺处理,断开所述连接电极,以在所述第一电极边缘形成凸出的连接部。由此,可以利用简单的制备工艺,消除阵列基板在制备过程中由静电击穿造成的各种不良。 | ||
搜索关键词: | 制备 阵列 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种制备阵列基板的方法,其特征在于,包括:在基板上设置多个阵列排布的薄膜晶体管;在所述基板上沉积第一透明电极层,对所述第一透明电极层进行第一构图工艺处理,以便形成多个与所述薄膜晶体管的漏极相连的第一电极,以及连接相邻的所述第一电极的连接电极;在所述第一透明电极层远离所述基板的一侧设置功能结构;以及对所述连接电极进行第二构图工艺处理,断开所述连接电极,以在所述第一电极边缘形成凸出的连接部,其中,设置所述功能结构包括:在所述连接电极远离所述基板的一侧设置信号线;在所述第一电极以及所述连接电极远离所述基板的一侧设置钝化层;以及在所述钝化层远离所述第一电极的一侧沉积第二透明电极层,并形成第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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