[发明专利]光电传感器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种光电传感器及其制造方法。该光电传感器传感器包括衬底，设在衬底上方的第一栅极，覆盖于第一栅极表面的第一栅介质层，设在第一栅介质层上表面的沟道区、源区及漏区，覆盖于沟道区、源区及漏区表面的第二栅介质层，与源区相接触的源极，与漏区相接触的漏极，设在第二栅介质层上表面且位于沟道区上方的第二栅极，覆盖于第二栅极表面并与其形成欧姆接触的导电层，位于导电层上表面并与其形成欧姆接触的半导体感光层，位于半导体感光层上表面并与其形成载流子势垒的势垒层、位于势垒层之上的第三栅极。该光电传感器能够用于大面积成像，并具有高空间分辨率，高灵敏度，且响应速度快。

主权项

一种光电传感器，其特征在于，包括：衬底；第一栅极，所述第一栅极设于所述衬底之上；第一栅介质层，所述第一栅介质层覆盖于所述第一栅极的外表面；半导体有源区，所述半导体有源区设于所述第一栅介质层之上，所述半导体有源区包括沟道区及分别位于所述沟道区两侧的源区和漏区；第二栅介质层，所述第二栅介质层覆盖于所述半导体有源区外表面；第二栅极，所述第二栅极设于所述第二栅介质层之上，且所述第二栅极位于所述沟道区的上方；导电层，所述导电层设于所述第二栅介质层之上，且所述导电层覆盖于所述第二栅极的外表面，所述导电层与所述第二栅极形成欧姆接触；半导体感光层，所述半导体感光层设于所述导电层之上，所述半导体感光层与所述导电层形成欧姆接触；势垒层，所述势垒层位于所述半导体感光层之上，所述势垒层与所述半导体感光层接触并形成载流子势垒；第三栅极，所述第三栅极设于所述势垒层之上；钝化层，所述钝化层设于所述第二栅介质层之上，所述钝化层覆盖于所述导电层的边缘部、所述半导体感光层的边缘部以及所述势垒层的边缘部，且所述第三栅极位于所述钝化层的上表面；源极，所述源极依次贯穿通过所述钝化层及所述第二栅介质层，以与所述源区相接触；以及漏极，所述漏极依次贯穿通过所述钝化层及所述第二栅介质层，以与所述漏区相接触。