[发明专利]一种抑制薄膜LED芯片光反射金属层球聚的方法在审
| 申请号： | 201710849104.3 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107623061A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 李树强;陈芳;施维;王光绪;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制薄膜LED芯片光反射金属层球聚的方法，包括以下步骤外延材料清洗、生长绝缘介质层、光刻P面电极孔、蒸发P面电极、光刻P面电极、蒸发光反射金属层、蒸发键合金属层、晶片键合、蒸发N面电极、光刻N面电极、电极合金、芯片粗化、芯片测试、芯片切割、芯片分选、产品包装入库，特征是在光刻N面电极步骤和芯片粗化步骤之间设有电极合金步骤，且放在晶片键合步骤之后。本发明将P面电极合金跟N面电极合金合并为一个电极合金工艺，且放在晶片键合之后，光反射金属层两侧的压力能够有效抑制光反射金属层在电极合金的高温作用下发生球聚现象，提高了光反射金属层的光反射率，同时简化了薄膜LED芯片的制备工序。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 薄膜 led 芯片 反射 金属 层球聚 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制薄膜LED芯片光反射金属层球聚的方法，外延材料清洗、生长绝缘介质层、光刻P面电极孔、蒸发P面电极、光刻P面电极、蒸发光反射金属层、蒸发键合金属层、晶片键合、蒸发N面电极、光刻N面电极、电极合金、芯片粗化、芯片测试、芯片切割、芯片分选、产品包装入库，其特征在于：在光刻N面电极步骤和芯片粗化步骤之间设有电极合金步骤，且放在晶片键合步骤之后。
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