[发明专利]氮化铝系半导体深紫外发光元件有效
| 申请号： | 201710851492.9 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN107863426B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 山本秀一郎;上田吉裕 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;李艳霞 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化铝系半导体深紫外发光元件，包括导电性支承基板、空孔率为10％以上50％以下且具有导电性的大孔结构的多孔质金属膜、及包括发光层的氮化铝系半导体层结构体，导电性支承基板与氮化铝系半导体层结构体夹着多孔质金属膜以电连接的方式接合，发光峰值波长为220nm以上300nm以下。由此，能够提供发光效率较高且成品率得到改善的纵型结构的氮化铝系半导体深紫外发光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 深紫 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化铝系半导体深紫外发光元件，其特征在于，包括：导电性支承基板、空孔率为10％以上50％以下且具有导电性的大孔结构的多孔质金属膜、及包括发光层的氮化铝系半导体层结构体，所述导电性支承基板与所述氮化铝系半导体层结构体夹着所述多孔质金属膜以电连接的方式接合，发光峰值波长为220nm以上300nm以下。
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