[发明专利]含氮半导体元件有效
| 申请号： | 201710851654.9 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN107845712B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 方信乔;吕政学;林政宏;郑季豪;黄吉豊 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种含氮半导体元件，其包括基板、第一氮化铝镓缓冲层、第二氮化铝镓缓冲层以及半导体堆叠层。第一氮化铝镓缓冲层设置于基板上，而第二氮化铝镓缓冲层设置于第一氮化铝镓缓冲层上。第一氮化铝镓缓冲层的化学通式为Al |
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| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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