[发明专利]一种TFT‑LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法在审
| 申请号： | 201710851757.5 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN107885048A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 白航空 | 申请（专利权）人： | 合肥惠科金扬科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L27/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT‑LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法，包括以下步骤在材料层的特定部分上方形成光刻胶图案以暴露出离子注入区，利用光学线宽测量仪器测量高电流离子注入后的掺杂的光刻胶层的厚度，基于离子注入前的光刻胶层的厚度获得未掺杂的光刻胶层的厚度，建立测量高电流离子注入后的光学线宽测量数据库；针对所述掺杂的光刻胶层的厚度和未掺杂的光刻胶层的厚度，分别设置刻蚀工艺的工艺参数；利用先进制程控制系统执行所述刻蚀工艺，在工艺过程中利用先进制程控制系统实施反馈，在第一温度下使用包含二酰亚胺(N2H2)的气体混合物等离子体移除所述光刻胶层；在高于所述第一温度的第二温度下，使用所述N2H2和O2的等离子体移除所述光刻胶层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft lcd 制造 过程 光刻 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法，用于去除TFT‑LCD衬底上的光刻胶层，其特征在于，包括以下步骤：(1)在材料层的特定部分上方形成光刻胶图案以暴露出离子注入区，利用光学线宽测量仪器测量高电流离子注入后的掺杂的光刻胶层的厚度，基于离子注入前的光刻胶层的厚度获得未掺杂的光刻胶层的厚度；(2)基于上述掺杂的光刻胶层的厚度和未掺杂的光刻胶层的厚度，建立测量高电流离子注入后的光学线宽测量数据库；(3)针对所述掺杂的光刻胶层的厚度和未掺杂的光刻胶层的厚度，分别设置刻蚀工艺的工艺参数；(4)利用先进制程控制系统执行所述刻蚀工艺，在工艺过程中利用先进制程控制系统实施反馈，在第一温度下使用包含二酰亚胺(N2H2)的气体混合物等离子体移除所述光刻胶层；(5)在高于所述第一温度的第二温度下，使用所述N2H2和O2的等离子体移除所述光刻胶层。
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