[发明专利]一种中低压沟槽型MOS器件及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种中低压沟槽型MOS器件及其制备方法，通过利用沟槽结构作为器件的终端结，所以省去传统工艺中的工作区和保护环掩膜板这两块光刻掩膜板；并应用接触孔掩膜板来形成器件的源区，所以节省了传统工艺中的源区掩膜板，因此仅需要沟槽掩膜板，接触孔掩膜板和金属掩膜板三个光刻掩膜板即可制备中低压沟槽型MOS器件，由于光刻版层数的减少，减少了器件制作的工艺步骤，从而大大降低了中低压沟槽型MOS器件的生产成本，进而提升了产品的竞争力。

主权项

一种中低压沟槽型MOS器件，其特征在于，包括：第一导电类型重掺杂衬底，所述第一导电类型重掺杂衬底上方分为元胞区和终端区；第一导电类型轻掺杂外延层，设置于所述第一导电类型重掺杂衬底之上；第二导电类型体区掺杂层，设置于所述第一导电类型轻掺杂外延层之上；沟槽结构，包括设置于所述元胞区中的元胞区沟槽结构和设置于所述终端区中的终端区沟槽结构，所述元胞区沟槽结构和所述终端区沟槽结构均贯穿所述第二导电类型体区掺杂层设置于所述第一导电类型轻掺杂外延层中；介质层，设置于所述第二导电类型体区掺杂层和所述沟槽结构之上；第二导电类型体区接触区，设置于所述第二导电类型体区掺杂层中；第一导电类型源区，设置于所述第二导电类型体区掺杂层中，且位于所述第二导电类型体区接触区之上；接触孔，包括元胞区接触孔和终端区接触孔，所述元胞区接触孔贯穿所述介质层设置于所述第二导电类型体区接触区中，所述终端区接触孔包括贯穿所述介质层设置于所述终端区沟槽结构中的第一接触孔和贯穿所述终端区的介质层设置于所述所述第二导电类型体区接触区中的第二接触孔；电极，设置于所述接触孔中并覆盖部分所述介质层的上表面。