[发明专利]柔性有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201710853664.6 | 申请日: | 2017-09-20 |
公开(公告)号: | CN108172592B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 张文源;金胜勳;成宇镛;宋昇勇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H10K59/12 | 分类号: | H10K59/12;H10K50/844;H10K77/10;H10K71/00 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文提供了柔性有机发光显示装置及其制造方法。柔性有机发光显示装置包括金属氧化物渗层,该金属氧化物渗层作为堆叠在有机发光器件上及周围的多个有机层中的至少一个的一部分。 | ||
搜索关键词: | 柔性 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
有机发光器件;
多个有机层,堆叠在所述有机发光器件上及周围;以及
金属氧化物渗层,是所述多个有机层中的至少一个的一部分。
2.根据权利要求1所述的柔性有机发光显示装置,其中,所述多个有机层包括:基底有机层,用作基板;
薄膜晶体管的绝缘有机层,所述薄膜晶体管连接至所述有机发光器件;以及
封装有机层,位于所述有机发光器件的第二侧上,所述有机发光器件的所述第二侧与所述基底有机层所位于的所述有机发光器件的第一侧相对,
其中所述封装有机层覆盖所述有机发光器件。
3.根据权利要求2所述的柔性有机发光显示装置,其中,所述金属氧化物渗层是所述基底有机层的一部分。4.根据权利要求3所述的柔性有机发光显示装置,其中,所述金属氧化物渗层是所述基底有机层的面对所述有机发光器件的表面的一部分。5.根据权利要求3所述的柔性有机发光显示装置,其中,所述金属氧化物渗层是所述基底有机层的第二表面的一部分,所述第二表面与所述基底有机层的面对所述有机发光器件的第一表面相对。6.根据权利要求2所述的柔性有机发光显示装置,其中,所述薄膜晶体管包括:有源层,设置在所述基底有机层上;
栅极绝缘层,覆盖所述有源层;
栅电极,设置在所述栅极绝缘层上并且面对所述有源层;
层间绝缘层,覆盖所述栅电极;
源电极和漏电极,设置在所述层间绝缘层上以分别连接至所述有源层的不同部分;以及
通孔层,覆盖所述源电极和所述漏电极,以及
其中所述绝缘有机层包括所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层和所述通孔层。
7.根据权利要求6所述的柔性有机发光显示装置,其中,所述金属氧化物渗层是所述通孔层的一部分。8.根据权利要求6所述的柔性有机发光显示装置,其中,所述金属氧化物渗层是所述层间绝缘层的一部分。9.根据权利要求2所述的柔性有机发光显示装置,其中,所述金属氧化物渗层是所述封装有机层的一部分。10.根据权利要求2所述的柔性有机发光显示装置,还包括:保护有机层,位于所述基底有机层的外表面上,
其中所述金属氧化物渗层是所述保护有机层的一部分。
11.根据权利要求2所述的柔性有机发光显示装置,还包括:窗有机层,位于所述封装有机层上,
其中所述金属氧化物渗层是所述窗有机层的一部分。
12.制造柔性有机发光显示装置的方法,所述方法包括:在有机发光器件上及周围堆叠多个有机层;以及
使用顺序气相沉积方法形成金属氧化物渗层作为所述多个有机层中的至少一个的表面的一部分。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述多个有机层包括:基底有机层,用作基板;
薄膜晶体管的绝缘有机层,所述薄膜晶体管连接至所述有机发光器件;以及
封装有机层,位于与所述基底有机层所位于的侧相对的侧上,
其中所述封装有机层覆盖所述有机发光器件。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述金属氧化物渗层形成在所述基底有机层的面对所述有机发光器件的表面上。15.根据权利要求13所述的方法,其中,所述金属氧化物渗层形成为所述基底有机层的第一表面的一部分,所述第一表面与所述基底有机层的面对所述有机发光器件的第二表面相对。16.根据权利要求13所述的方法,其中,所述薄膜晶体管包括:有源层,设置在所述基底有机层上;
栅极绝缘层,覆盖所述有源层;
栅电极,设置在所述栅极绝缘层上并且面对所述有源层;
层间绝缘层,覆盖所述栅电极;
源电极和漏电极,设置在所述层间绝缘层上以分别连接至所述有源层的不同部分;以及
通孔层,覆盖所述源电极和所述漏电极,以及
其中所述金属氧化物渗层形成为所述通孔层的一部分。
17.根据权利要求13所述的方法,其中,所述薄膜晶体管包括:有源层,设置在所述基底有机层上;
栅极绝缘层,覆盖所述有源层;
栅电极,设置在所述栅极绝缘层上并且面对所述有源层;
层间绝缘层,覆盖所述栅电极;
源电极和漏电极,设置在所述层间绝缘层上以分别连接至所述有源层的不同部分;以及
通孔层,覆盖所述源电极和所述漏电极,
其中所述金属氧化物渗层形成为所述层间绝缘层的一部分。
18.根据权利要求13所述的方法,其中,所述金属氧化物渗层形成为所述封装有机层的一部分。19.根据权利要求13所述的方法,还包括:在所述基底有机层的外表面上形成保护有机层,
其中所述金属氧化物渗层形成为所述保护有机层的一部分。
20.根据权利要求13所述的方法,还包括:在所述封装有机层上形成窗有机层,
其中所述金属氧化物渗层形成为所述窗有机层的一部分。
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