[发明专利]掺氮单晶硅棒及其生产方法在审

专利信息
申请号: 201710853927.3 申请日: 2017-09-20
公开(公告)号: CN109518269A 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 刘学;武志军;张全顺;刘伟;张文霞;谷守伟;李建弘;高树良;张雪囡 申请(专利权)人: 内蒙古中环光伏材料有限公司
主分类号: C30B15/04 分类号: C30B15/04;C30B15/20;C30B15/36;C30B29/06
代理公司: 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 代理人: 栾志超
地址: 010070 内蒙古自*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 发明提供一种掺氮单晶硅棒及其生产方法,包括在等径阶段全程通入氮气,在收尾阶段全程通入氮气。本发明的有益效果是等径状态通入既能保证氮气和单晶硅棒反应,也能保证进入液态硅里的氮化硅杂质较少,以免氮化硅杂质较多,导致单晶断苞,在等径阶段和收尾阶段全程通入氮气,利用低成本的高纯度氮气替代高纯度氩气作为保护气,能有效降低单晶硅棒的生产成本,在反应过程中,晶体的表面和氮气基本不反应,没有氮元素的引入,不影响单晶的晶体质量。
搜索关键词: 氮气 单晶硅棒 等径阶段 收尾阶段 氮化硅 掺氮 全程 高纯度氮气 高纯度氩气 影响单晶 保护气 氮元素 低成本 晶体的 液态硅 单晶 等径 生产成本 保证 生产 替代 引入
【主权项】:
1.一种掺氮单晶硅棒的生产方法,其特征在于:在等径阶段和/或收尾阶段全程通入氮气。
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