[发明专利]表面有机物膜的清除方法在审
| 申请号： | 201710854199.8 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107665812A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 翟海雷 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294 | 代理人： | 孙佳胤,董琳 |
| 地址： | 223300 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种表面有机物膜的清除方法，包括提供一芯片样品，所述芯片样品表面具有含碳链的有机物膜；采用反应离子刻蚀工艺，对所述芯片样品表面进行清除处理，去除所述有机物膜，所述反应离子刻蚀工艺的刻蚀时间为5s～35s，刻蚀气体为含氧气体。上述方法可以有效去除芯片样品表面的有机物膜，提高芯片样品利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 有机物 清除 方法 | ||
【主权项】：
一种表面有机物膜的清除方法，其特征在于，包括：提供一芯片样品，所述芯片样品表面具有含碳链的有机物膜；采用反应离子刻蚀工艺，对所述芯片样品表面进行清除处理，去除所述有机物膜，所述反应离子刻蚀工艺的刻蚀时间为5s～35s，刻蚀气体为含氧气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
