[发明专利]硅基微纳光伏结构及其光子制备方法在审
申请号: | 201710854732.0 | 申请日: | 2017-09-20 |
公开(公告)号: | CN107658348A | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 黄伟其;黄忠梅 | 申请(专利权)人: | 贵州大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 贵阳中新专利商标事务所52100 | 代理人: | 李亮,程新敏 |
地址: | 550025 贵州省贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种硅基微纳光伏结构及其光子制备方法。本发明的产品具有表面微米尺度的凸起结构和内部纳米结构,并形成PN层薄膜结构,其中利用脉冲激光纳秒光子作用产生等离子体阵列制备出的准周期表面结构的光吸收率超过90%以上,并具有很好的N型层特性,具有很好的亮场I‑V特性,与P型层衬底结合构建很好的PN层结构,其PN层结构的正反向特性鲜明;上下面镀上电极封装后制造出新型的宽带谱硅基太阳能电池具有很好的紫外亮场I‑V特性,宽带吸光功能及其较高的光电转换效率(超15%),它是全新的脉冲光子制造方法,具备稳定可靠、简洁巧妙、成本低、易于产业化和较高转换效率等优点。 | ||
搜索关键词: | 硅基微纳光伏 结构 及其 光子 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硅基微纳光伏结构,包括P型层(1),其特征在于:在P型层(1)的上表面设有N型层(3),N型层(3)的上表面为均匀的微米级凸起结构;在P型层(1)的底部连接有正电极(4),在N型层(3)的侧面连接有负电极(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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