[发明专利]一种半导体激光bar条及其制备方法在审
申请号: | 201710857921.3 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107482471A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 关永莉;米洪龙;梁健;李小兵;王琳;董海亮 | 申请(专利权)人: | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024;H01S5/022 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 041600 山西省临汾*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体激光bar条及其制备方法,方法包括制作GaAs外延片;在P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀出脊型电流注入区和非注入区,并露出部分所述P‑GaAs限制层;制作出光隔离区;形成将所述P‑GaAs欧姆接触层以及露出的部分所述P‑GaAs限制层均覆盖住的电流限制层,并对所述电流限制层进行刻蚀,以露出所述脊型电流注入区;在所述电流限制层和所述脊型电流注入区上方形成P面金属电极层,并在所述P面金属电极层上制作出电隔离区;在所述GaAs衬底远离所述N‑GaAs限制层的一面形成N面金属电极层。本方案,可以提高半导体激光bar条的稳定性和寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 激光 bar 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体激光bar条,其特征在于,包括:GaAs外延片,其中,所述GaAs外延片从上往下依次为:P‑GaAs欧姆接触层、P‑GaAs限制层、P‑GaAs波导层、量子阱、N‑GaAs波导层、N‑GaAs限制层和GaAs衬底;所述P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀有脊型电流注入区和非注入区,且部分所述P‑GaAs限制层未被所述P‑GaAs欧姆接触层覆盖住;所述GaAs外延片上刻蚀有光隔离区,所述光隔离区为从所述P‑GaAs限制层未被所述P‑GaAs欧姆接触层覆盖住的部分开始刻蚀,直到将所述P‑GaAs限制层、P‑GaAs波导层、量子阱、N‑GaAs波导层刻穿所对应的被刻蚀掉的区域;在所述P‑GaAs欧姆接触层以及未被所述P‑GaAs欧姆接触层覆盖住的部分所述P‑GaAs限制层上方形成有电流限制层,其中,所述电流限制层被刻蚀掉一部分以露出所述脊型电流注入区;所述电流限制层和所述脊型电流注入区上方形成有P面金属电极层,所述P面金属电极层上设置有电隔离区;所述GaAs衬底远离所述N‑GaAs限制层的一面形成有N面金属电极层。
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